transistor是什么
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晶体管是由什么做成的啊
以半导体材料,即导电率介于导体和绝缘体之间的材料,由于晶体管的PN结所需,其化学价也有一定的要求(+3价,+4价,+5价),常见晶体管材料有硅、锗、镓、砷等。晶体管(transistor)是一种固体半导体器件,具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关,能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关(如Relay、switch)不同,晶体管利用电讯号来控制自身的开合,而且开关速度可以非常快,实验室中的切换速度可达100GHz以上。
电子管的这些符号是什么意思
在电子管的符号中,常见的一些符号和它们的意义如下:
三极管(Transistor):
NPN型三极管:由一个N型材料夹在两个P型材料之间组成,用于放大和开关电路。
PNP型三极管:由一个P型材料夹在两个N型材料之间组成,用于放大和开关电路。
二极管(Diode):
正向偏置二极管:箭头指向P型材料,用于只允许电流在一个方向上通过的电路。
反向偏置二极管:箭头指向N型材料,用于阻止电流通过的电路。
电容器(Capacitor):
极性电容器:有正负极性,正极端带有"+"符号。
非极性电容器:没有正负极性,没有特殊符号。
电感器(Inductor):
一般表示为一个卷线的符号。
可变电阻器(VariableResistor):
通常表示为一个带有箭头的直线,箭头表示可调节的位置。
晶体振荡器(CrystalOscillator):
通常表示为一个晶体形状的符号。
这些是一些常见的电子管符号及其意义,但还有其他更多的符号用于表示不同类型的电子元件。如果您有特定的符号需要解释,请提供更多细节,我将尽力为您提供帮助。
IGBT中文名称是什么
IGBT是什么?IGBT的英文全称为:InsulatedGateBipolarTransistor,中文为:绝缘栅双极型晶体管,它是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
igbt是什么芯片
IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
IGBT是能源变换与传输的核心器件,俗称电力电子装置的“CPU”,作为国家战略性新兴产业,在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。
igbt的中文含义是什么
IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道,给PNP(原来为NPN)晶体管提供基极电流,使IGBT导通。
反之,加反向门极电压消除沟道,切断基极电流,使IGBT关断。IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同,只需控制输入极N-沟道MOSFET,所以具有高输入阻抗特性。
当MOSFET的沟道形成后,从P+基极注入到N-层的空穴(少子),对N-层进行电导调制,减小N-层的电阻,使IGBT在高电压时,也具有低的通态电压。